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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    75

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    90

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    40

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,90mΩ,40A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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