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    2. 漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    100

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    125

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    30

    通（tōng）道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    600V,125mΩ,30A,N沟道基于超级（jí）结技（jì）术（shù）的（de）功率MOSFET


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