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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最（zuì）大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    25

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术的（de）功率MOSFET


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