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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    530

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    580

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    8

    通道极（jí）性：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    550V,580mΩ,8A,N沟道基于超（chāo）级结技术（shù）的功率MOSFET


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