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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    530

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    580

    最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

    8

    通道极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-252-2L/-55~125

    描（miáo）述：

    550V,580mΩ,8A,N沟道（dào）基于（yú）超级（jí）结技术的功率MOSFET


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