亿德体育(中国)体育官方网站



    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    120

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大漏（lòu）极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

    24

    驱动电（diàn）压(V)：

    10

    通（tōng）道极性：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟道基（jī）于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET


    亿德体育(中国)体育官方网站

    亿德体育(中国)体育官方网站