CW32L010系（xì）列（liè）产品是基于 eFlash 的单芯片低功耗微控制器，集（jí）成了主频（pín）高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌（qiàn）入（rù）式（shì）存储器（多至（zhì） 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字节 SRAM）以及一系列全面的增强型外设（shè）和 I/O 口（kǒu）。

内部框图

所有（yǒu）型（xíng）号都提供全套的通信接口（二路（lù） UART、一路 SPI 和一（yī）路 I2C）、12 位高速（sù） ADC、四组通用和基本定时（shí）器（qì）、一组低功耗定时器（qì）以及一组（zǔ）高级控制 PWM 定（dìng）时器。

CW32L010 可（kě）以在（zài） -40℃到 85℃的（de）温（wēn）度（dù）范（fàn）围内工作，供（gòng）电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep两种低功耗工作模式CW32L010 可以（yǐ）在 -40℃到 85℃的温度范围内工作，供电（diàn）电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两种低功耗工作模式。

确保（bǎo）高访问速度：可（kě）确保（bǎo）指（zhǐ）令的快速（sù）执行，满足实时性要求高（gāo）的应用场景。

易于升级迭代：在同（tóng）等（děng）成本下，扩大存储容量，为用户提供（gòng）同级最宽裕的程序（xù）和非易失存储空间，使得（dé）产（chǎn）品在面（miàn）临功能升级或迭代时，能够更加灵活地（dì）进行软件（jiàn）更新（xīn）和扩展。

减（jiǎn）少EEPROM依赖：通过提供充（chōng）足的非易失性存储，减少了对外部EEPROM的依（yī）赖，降低了（le）系统成本和复杂（zá）性。

耐（nài）用性更高：Flash擦写寿（shòu）命高（gāo）达10,000次，符（fú）合标杆（gǎn）要求，确保了产品的长（zhǎng）期（qī）稳定运行。

2、黑客级代码安全防（fáng）护（hù）

在微控制器（MCU）领域（yù），保（bǎo）护用户的代码和知识产权（quán）至（zhì）关（guān）重要。CW32L010系列（liè）MCU，以（yǐ）其创新（xīn）的（de）安全特性，为用户提供（gòng）了一个坚不可摧的（de）代（dài）码保护解决（jué）方（fāng）案。

尽管目前大多（duō）数MCU都支持多种安全（quán）等级（jí），阻止通过SWD/ISP接口读取Flash内（nèi）容。但通过下（xià）载间谍程序，用挟持内（nèi）核的方（fāng）式对（duì）Flash指令（lìng）区做（zuò）数据访问（wèn）一（yī）般都被允许。

CW32L010系（xì）列产品可以阻止（zhǐ）这个（gè）入侵（qīn），我们允许用户划定一块指令存储区域，只（zhī）能通过指令总线（xiàn）取指令（lìng）执（zhí）行，不（bú）允许通过数据总线访问数据。在这个区域内，即使攻击者（zhě）尝（cháng）试通过下载（zǎi）间谍程序挟持内核，也无法访问这块被保（bǎo）护（hù）的存储（chǔ）区域（yù）。用户可（kě）以将包含敏感算法和关键（jiàn）功（gōng）能的代码库（kù）存储在该区域，确（què）保这些核心资产只能被调用，无（wú）法被（bèi）复（fù）制或篡改（gǎi）。

超低功耗工作（zuò）模式非常多，一般用户较关注（zhù）待（dài）机电流（常温/高温）、全（quán）速运行电流等几个主要指标。

CW32L010采用特（tè）别工艺制程，将待机电流（liú）控制（zhì）在0.3uA，高温待机电流是竞品平均（jun1）水平的1/4~1/8。

5、RTC补偿精度是（shì）0.060ppm，支持（chí）亚秒级读数（shù）

CW32L010在（zài）设计时对RTC补偿机制进行（háng）了（le）优化，可选择（zé）32，128，256秒为一（yī）个补偿（cháng）周期，最精细（xì）的补偿精度可达到0.060ppm，支持亚秒级读数。

6、全（quán）面（miàn）升级的低功耗串口（kǒu），支（zhī）持LIN、RS485硬件（jiàn）使能

低功耗（hào）串（chuàn）口接收数据可灵活配置（zhì）接口电（diàn）平，可产生关键（jiàn）字（zì）中断和帧超时中断，支持LIN、RS485硬件使能、TXD和（hé）RXD互换及内部回环（huán）功能、LSB/MSB硬件转换（huàn）。

7、85℃ Latch Up测（cè）试成绩优（yōu）异，闩锁门限（xiàn）测试成绩高（gāo）达±600mA

在MCU的设计和应用中，静（jìng）电放电（ESD）的防（fáng）护能力是衡量产品可（kě）靠性的重要指标之一。其中（zhōng）高温Latch Up（闩锁）测试可（kě）以（yǐ）说明一定问题（tí），CW32L010在高温（wēn）Latch Up（闩锁）测（cè）试（shì）中（zhōng）表现出色，闩锁门限测试（shì）成绩高达±600mA，远（yuǎn）高（gāo）于行业一般水平，相（xiàng）比竞品一般水（shuǐ）平为3~6倍。强（qiáng）大（dà）的ESD防（fáng）护能够保护MCU内（nèi）部数（shù）据不受静电放电的（de）影响以及在各种环境下的长期稳定运（yùn）行。

8、16路ADC输入2M采（cǎi）样率，采样（yàng）保持时间可（kě）独立配置

9、内部时钟源特（tè）性无惧挑剔

CW32L010系（xì）列产品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封装形式，不同封装的产品所能实现（xiàn）的（de）功能有所不（bú）同，具体情况如下（xià）表所示：

 CW32L010 家族产品功能（néng）列（liè）表