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  1. 漏源电压BV DSS (V)(Min.):

    600

    导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    75

    导(dǎo)通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.):

    90

    最大漏极电流Id(on)(A):

    40

    通道极性:

    N沟(gōu)道(dào)

    封装/温(wēn)度(dù)(℃):

    TO-220F-3L/-55~125

    描述:

    600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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