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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 75 |
导(dǎo)通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.): | 90 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 40 |
通道极性: | N沟(gōu)道(dào) |
封装/温(wēn)度(dù)(℃): | TO-220F-3L/-55~125 |
描述: | 600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
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