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    2. 漏源（yuán）电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

    20

    通（tōng）道（dào）极性：

    N沟道（dào）

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描（miáo）述：

    600V，190mΩ，20A，N沟道基于超（chāo）级结技术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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