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产(chǎn)品(pǐn)中(zhōng)心
漏源(yuán)电压(yā)BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 170 |
导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.): | 190 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 20 |
驱动电压(V): | 10 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(dù)(℃): | TO-247-3/-55~125 |
描述: | 600V,190mΩ,20A,N沟道(dào)基于超(chāo)级结(jié)技术的功(gōng)率MOSFET |
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