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  1. 漏源(yuán)电压(yā)BV DSS (V)(Min.):

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    170

    导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.):

    190

    最大漏极电流Id(on)(A):

    20

    驱动电压(V):

    10

    通道极性:

    N沟道

    封装/温度(dù)(℃):

    TO-247-3/-55~125

    描述:

    600V,190mΩ,20A,N沟道(dào)基于超(chāo)级结(jié)技术的功(gōng)率MOSFET


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