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漏源(yuán)电压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 250 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 280 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 15 |
驱(qū)动电压(yā)(V): | 10 |
通道极性: | N沟道 |
封(fēng)装/温度(℃): | TO-220-3L/-55~125 |
描述: | 650V,280mΩ,15A,N沟道基(jī)于超级结(jié)技术的功率MOSFET |
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